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中科院微电子所的陈云海，华夏半导体领域的学术权威，参与过多项国家集成电路重大专项的评审，前几天的战略会议上，赵利剑和他坐在同一排。
“陈院士，今天收到了一份材料，华芯国际的蔡永芯递上来的，内容涉及NAND闪存芯片的国产化，我想请您帮忙把把关。”
电话那头安静了两秒，“NAND？国产化？”
陈云海的语气带着明显的不信。
“哪家企业？”
“红星科技。”
又是两秒的安静。
“赵部长，您确定是NAND？不是NOR？”
“报告上写的是NAND，32nm制程，1GB容量，已经在台积电完成流片验证。”
电话那头沉默了更长的时间。
赵利剑等着，没有催。
陈云海今年六十七岁，在半导体领域钻了一辈子，从最早华夏引进日本的3英寸晶圆线开始，到后来908工程、909工程的评审，再到这几年国家集成电路规划的研讨，他全程参与。
华夏半导体的家底有多厚，他比在座的任何人都清楚。
NAND闪存的设计难度在哪里，制造壁垒在哪里，知识产权的雷区在哪里，他门清。
所以他的第一反应是不信。
不是不信红星——红星做凌霄H1系列芯片的事他知道，那枚芯片的设计水平在国内确实算得上出色。
但芯片和闪存不是一回事。
逻辑芯片的设计有EDA工具帮忙，有成熟的IP核可以授权。
存储芯片不行，存储芯片的核心在于存储单元结构的设计、制造工艺的控制、以及大容量阵列的良率管理。
这套东西，三星积累了二十年，东芝积累了十五年。
红星？一家做手机的公司？
能搞出这个？
“赵部长。”
陈云海终于开口了。
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